さて、半導体は純度を99.999999999%というものすごい数にまで高めてから使うのですが、このまま使う事はまずなく、せっかく純度を高めた半導体の中にわざわざまた不純物を入れて使用します。そうしないと使い道がないからです。そしてこのときに加える不純物の違いでＰ形半導体とＮ形半導体の２種類が出来ます。
半導体の原料になるゲルマニウム(Ge)やシリコン(Si)は�W族元素なので、最外殻に電子が４つ回っています。Si単体ならば隣同士の原子が電子によって手を結びあっていて、自由に動ける電子はないのですが、ここに例えば�X族のリン(P)やヒ素(As)をちょっと加えると、最外殻の電子が５個あるので、電子が１個余ってしまいます。この電子は自由電子となり、自由に動けるようになります。このような半導体をN形半導体といいます。
また�X族ではなく�V族のホウ素(B)やインジウム(In)といった元素を加えると、さっきとは逆に最外殻電子が３個しかないので１個不足します。そこで別の電子を無理矢理持ってこようとします。すると取られた方もまた別の所から電子を持ってこようとして、これがずっと続きます。これはあたかも電子の抜け殻（これを正孔といいます）が動いているように見えるので、このような半導体をP形半導体と呼びます。

さて、こうして出来たP形半導体とN形半導体をくっつけてみます。くっつけるといっても半田付けではだめで、Ｎ形半導体の一部をＰ形にしたり、またその逆をしたりしてくっつけます。そうするとおもしろい働きをするようになるのです。まず電流をＰ形の方がマイナス、Ｎ形の方がプラスになるように流します。すると電子も正孔もはしっこに追いやられて真ん中が空乏層と呼ばれる空っぽの状態になります。ここは抵抗値が高いので、電流はほとんど流れません。逆にＰ形にプラス、Ｎ型にマイナスをかけると、電子も正孔もその境界線を越えることが出来るので、電流が流れるようになります。つまり、Ｐ形半導体とＮ型半導体をくっつけると、１方向にしか電流を流さないようになるのです。このような素子をダイオードといいます。ダイオードの１方向にしか電流を流さない性質を利用して、交流のマイナス部分を切り取って直流にしたり（整流）します。

ダイオードの図記号は

このようになります。ＡがアノードといってＰ形、ＫがカソードといってＮ形に当たります。つまりアノードに＋、カソードに−をつなぐと電流が流れ（順バイアスといいます）、その逆にすると電流が流れない（逆バイアス）わけです。
さて、順バイアスで電流が流れると言っても、ある程度の電圧がなければ流れません。ゲルマニウムダイオードなら0.2V、シリコンダイオードなら0.6Vぐらいです。また逆バイアスで電流が流れないと言うのもやはり限界があって、100V近くになると急に流れるようになります（この時の電圧を降伏電圧といいます）。降伏電圧は半導体に加える不純物の量で調整が出来ます。この原理を使っているのが後述するツェナーダイオードです。

ではいろんなダイオードを見ていきましょう。

名前	特性・用途
ツェナー・ダイオード	定電圧を得るために使われる。逆バイアス時の降伏電圧を利用しているため、普通とは逆向きに使用する。だいたい1Aまでの製品がそろっている。実際の製品はたとえばRSコンポーネンツで多数取り扱いがあります。
可変容量ダイオード	バリキャップとも呼ばれる。逆バイアス時の空乏層をコンデンサとして使用する。テレビの電子チューナーなどに使用される。
ＬＥＤ	光るダイオード。赤・緑・黄のほか、青も登場してきた。数字を表示できるようにした７セグメント形という物もある
フォト・ダイオード	光を感じることが出来るダイオード。逆バイアスで使用する。
太陽電池	発電作用を持ったダイオード
レーザー・ダイオード	レーザー光を放出するダイオード
フォト・インタラプタ	LEDと受光素子を組み合わせて、物体を検出できるようにしたもの。
オプト・カプラ	同じくLEDと受光素子を１つのパッケージに入れて、光でON/OFFを伝える用にした物。回路の絶縁が出来る。

このようにダイオードには様々なバリエーションがあります。この中でも特にLEDは使う機会が多いでしょう。また普通のダイオードにもスイッチング用と整流用があり、用途に応じて使い分けます。また整流の時に便利な、２つや４つのダイオードを１つのパッケージにまとめた、ダイオードブリッジもよく使われます。最後に普通のダイオードとは少し図記号の異なるダイオードを見てみましょう。

ＬＥＤ	ツェナーダイオード

ダイオードはＰ形とＮ型、２つの半導体をくっつけて出来たものでした。では３つくっつけるとどうなるのでしょうか。これはくっつける順番によって、PNPとNPNの２通りがあります。このうちNPNの場合を考えてみましょう。ただしイメージ的には

という感じにPが薄いと考えます。まず、どう電圧をかけても左のＮから右のＮへは最初電流が流れません。なぜならさっきダイオードでやったように、ＰからＮへは電流が流れますが、その逆はだめだったからです。
しかしここで真ん中のＰから右のＮに順方向電圧をかけます。そして左のＮにプラス、右のＮにマイナスをかけます。つまり、こういうことです。（この図でBと書いてあるのが真ん中のPで、Eが右のN、Cが左のNです）

すると流れないはずのCE間に電流が流れるのです。これはほんとはEからBに行くはずの電子がBが薄いために突き抜けてしまい、端のCにまで到達してしまうからです。そしてこれはBE間の小さな電流でCE間の大きな電流を制御できることから、増幅作用があるといえます。
増幅という言葉で勘違いしてほしくないのですが、増幅とは３Ｖが６Ｖになったり、100mAが1Aになったりする事ではないということです。つまり小さな力で大きな力をコントロールできる・・・てこのような働きが増幅なのです。

さて、先ほどの図に出てきたBCEという記号は、それぞれBはベース、Cはコレクタ、Eはエミッタの頭文字です。普通トランジスタを使うときは、BE間の電流でCE間の電流を制御するように使います。そしてCE間の電流をBE間の電流で割った物を直流電流増幅率といい、hfeという略号で呼ばれます。これは小さい電流でどれだけ大きな電流が扱えるかを表しています。たとえばhfe500のNPNトランジスタのBE間に10μA流すと、

このようにCE間に最大で5mAの電流が流せます。この場合、電流の向きがBE間とCE間で逆になっているのに注意して下さい。（PNPトランジスタの場合も電流の向きがそれぞれ逆になるだけで、同様に考えることが出来ます）

ではあらためてトランジスタの図記号を見てみましょう。

NPN	PNP

このようになります。さて、トランジスタには型番があって、ある程度の分類がされています。例えば2SC1815とか言うような名前が付いているのですが、このうち最初の３つの文字には意味があって、

2：PN接合数（足の数−１）
S：Semiconductor（半導体）
C：分類記号（以下の４つ）
　　A･･･PNP形高周波用
　　B･･･PNP形低周波用
　　C･･･NPN形高周波用
　　D･･･NPN形低周波用

ということに一応なっていますが、高周波・低周波の区別はそんなに厳密ではありません。どちらかというと2SB、2SDは大電力形という風に覚えておいた方がいいと思います。

トランジスタに関してはいろいろ理論があって私も勉強中の身なのですが、ここであんまり追求しても難しいだけなので、この辺で止めておきます。詳しくはその筋の本を参照して下さい（他力本願〜）。